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清水 秀己 (シミズ ヒデキ)

プロフィール

所属
創造科学系
職名
名誉教授
学歴
1979 , 名古屋大学 , 修士 , 工学研究科 , 電気工学 , 修了
1977 , 名古屋工業大学 , 工学部 , 電気工学科 , 卒業
取得学位
工学修士 , 名古屋大学
研究職歴
2017- , 愛知教育大学 特別教授
2002-2017 , 愛知教育大学 教授
1986-2001 , 愛知教育大学 助教授
1982-1986 , 愛知教育大学 助手
1979-1982 , 豊橋技術科学大学 教務員
研究職歴以外の職歴
2014- , 愛知教育大学 副学長(グローバル推進担当)
留学歴
1993-1994 , 米国シンシナティ大学・ナノテクノロジー研究所
所属学会
電気学会
応用物理学会
日本産業技術教育学会
所属学会役職担当
2012-2014 , 日本産業技術教育学会 , 常任編集委員
2009- , 日本産業技術教育学会 , 編集委員
2007-2009 , 日本産業技術教育学会 , 東海支部長,常任編集委員
2003-2005 , 応用物理学会 , 東海支部幹事

研究活動

研究分野
科学教育
応用物性・結晶工学
電子・電気材料工学
キーワード:電子・電気材料工学 , 応用物性・結晶工学 , 技術教育 , 工業教育
現在の研究課題
高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製に関する研究
キーワード:スパッタリング , ZnO , 2002-2013
技術教育におけるエネルギー変換教育に関する研究
キーワード:技術教育 , エネルギー変換 , ものづくり , 2001-
プラズマアシストCVDによるSi基板上へのSiCへテロエピタキシャル成長に関する研究
キーワード:炭化ケイ素 , プラズマアシスト , へテロエピタキシャル , 1991-
プラズマ利用によるカーボン薄膜の作製に関する研究
キーワード:プラズマ , 薄膜 , カーボン , 1986-
プラズマ利用によるアモルファスシリコン作製に関する研究
キーワード:プラズマ , アモルファスシリコン , 1982-1986
論文
清水秀己,矢田真士
高周波スパッタリングによるSi(111)基板上ZnO薄膜作製における3C-SiCバッファ層の効果
愛知教育大学研究報告(芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編, 愛知教育大学, 62:59-65, 2013-03
Hideki Shimizu and Takashi Watanabe
Effects of propane on low temperature growth of 3C-SiC films on Si (111) by plasma assisted CVD
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 717-720:181-184, 2012-06
清水秀己,森下拓哉
高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製における投入電力の効果
愛知教育大学研究報告(芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編, 愛知教育大学, 61:49-57, 2012-03
H. Shimizu
Manufacturing a Product Using Electromagnetic Force as Part of "Making things" Education
Proceedings of ICTE 2011, ICTE, :57-63, 2012-03
清水秀己,萩原基文
高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製におけるAlドーピング(Ⅱ)
愛知教育大学研究報告(芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編, 愛知教育大学, 60, 2011-03
清水秀己,徳重雄紀
高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製におけるAlドーピング
愛知教育大学研究報告(芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編, 愛知教育大学, 59:55-61, 2010-03
Hideki Shimizu and Hidetoshi Miyakawa
Implementation and Achievements of “Making Things Education” GP Project Supported by Ministry of Education, Culture, Sport, Science and Technology Japan
Proceedings of ICTE 2009, ICTE, :491-500, 2009-10
Hideki Shimizu and Akira Kato
Low Temperature Growth of 3C-SiC Film on Si (111) by Plasma Assisted CVD
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 615-617:161-164, 2009-06
Hideki Shimizu and Akira Kato
Heterepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) at Low Substrate Temperature by Plasma Assisted CVD
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 600-603:235-238, 2009-01
清水秀己,岩田 航
反応性RFスパッタリングによるZnO薄膜作製における酸素濃度の効果
愛知教育大学研究報告, 57:43-49, 2008-03
Hideki Shimizu and Akira Kato
Hetero-epitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) by Plasma Assisted CVD
Materials Schience Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 556-557:183-186, 2007-06
Hideki Shimizu and Yosuke Aoyama
Hetero-epitaxial Growth on 3C-SiC on Silicon Substrates by Plasma Assisted CVD
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 527-529:299-302, 2006-09
愛知万博市民プロジェクト「ものづくりと教育」の実施と成果
日本産業技術学会誌, 日本産業技術教育学会, 46(3):45-50, 2006-04
Hideki Shimizu, Kensaku Hisada and Yosuke Aoyama
Key Radicals for Hetero-epitaxial Growth of 3C-SiC on Silicon Substrates
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 483-485:209-212, 2005-08
RFスパッタリングによるZnO薄膜の作製
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 53:41-49, 2004-03
Hetero-epitaxial of 3C-SiC on Carbonized Silicon Substrates
Material Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 433-436:229-232, 2003-06
RFプラズマCVDによるアモルファスカーボン薄膜の作製
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 52:41-49, 2003-03
Evaluation of Carbonized Layers for 3C-SiC/Si Epitaxial Growth by Ellipsometry
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 389-393:335-338, 2002-04
Structural Changes due to Gass Pressure of Diamond Films Prepared by Intermitted Plasma Chemical Vapor Depsition
New Diamond and Frontier Carbon Technology, 12(3):133-136, 2002-03
偏光解析によるシリコン表面粗さの評価
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 51:45-52, 2002-03
陽極酸化によるシリコン表面上への酸化膜の形成と評価
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 50:83-91, 2001-03
Cabonization on(100)Silicon for Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 338-342:261-264, 2000-03
シリコン熱酸化膜形成におけるオゾンの促進効果
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 49:57-65, 2000-03
Effect of Substrate Bias on 3C-Sic Deposition on Si by AC Plasma-Assisted CVD.
Materials Science Forum, Trans Tech Publications, switzerland, 264-268:211-214, 1998-03
ACプラズマアシストCVDによるシリコン窒化薄膜の作成
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 47:37-44, 1998-03
3C-SiC成長のためのACプラズマの大面積化
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 46:47-53, 1997-03
HF洗浄後のSi基板表面の偏光解析
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 45:31-37, 1996-03
Low temperature and large-area deposition of 3C-Sic on Siby AC plasma-assisted CUD.
Inst. Phys. Conf. Ser., IOP Publishing Ltd, 142:161-164, 1996-02
AC plasma-assisted CVD of 3C-SiC films at low substrate temperature.
Inst. Phys. Conf. Ser., IOP Publishing Ltd, 137:87-89, 1994-07
メタンーモノシラン混合ガス系におけるACプラズマの発光分光分析
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 42:83-90, 1993-03
AC Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrate.
Springer Proceedings in Physics, Springers, 71:119-125, 1992-05
ダイヤモンド生成時におけるDCプラズマの発光分光分析
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 41:107-116, 1992-03
ダイヤモンド生成時におけるDCプラズマの赤外吸光分析
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 40:101-109, 1991-03
Deposition of Diamond onto an Aluminum Substrate by DC Plasma CVD.
Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, 29(8):1511-1514, 1990-08
高周波スパッタリングにより作成したa-C:H膜の微細構造
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 39:107-116, 1990-03
DIAMOND STRUCTURE IN FILMS DEPOSITED AT RELATIVELY LOW SUBSTRATE TEMPERATURE.
J. Crystal Growth, North-Holland, 99:1215-1219, 1990-02
MICROSTRUCTURES OF HYDROGENATED AMORPHOUS CARBON FILMS PREPARED BY PLASMA CVD.
J. Non-Cryst. Solid., North-Holland, 114:196-198, 1989-08
高周波スパッタリングにより作成したa-Si:H薄膜の微細構造と電気的・光学的特性
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 37:113-118, 1988-03
高周波マグネトロンスパッタリングにより作成したa-Si:H薄膜の微細構造と電気的・光学的特性
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 36:107-113, 1987-03
Microstructures of Hydrogenated Silicon Films Prepared by Ion Plating.
Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, 25(6):775-778, 1986-06
ポリエチレンフィルムの高電界誘電特性
電気学会論文誌, 電気学会, 105A(9):463-470, 1985-09
RFスパッタにおける基板表面温度校正
真空, 日本真空協会, 27(1):13-18, 1984-01
FORMATION OF MICROCRYSTALLINE STRUCTURE IN a-Si : H FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING.
J. Non-Cryst. Solid. , North-Holland, 59-60:823-826, 1983-08
Microstructures and Hydrogen bonding Environments of a-Si : H Films Prepared by RF Spattering in Pure Hydrogen.
Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, 22(2):L73-L75, 1983-02
OPTICAL PROPERTIES OF NATIVE OXIDE FILM ANODICALLY GROWN ON PbSnTe.
Surface Science, North-Holland, 86:389-397, 1979-08
ELLIPSOMETTRIC AND INFRARED SPECTROSCOPIC STUDIES OF OXIDE FILM ON GaAs SURFACE.
Surface Science, North-Holland, 86:314-321, 1979-08

教育活動

授業等
2018 , 前期 , 初年次演習
2018 , 前期 , 電子工学Ⅰ
2018 , 前期 , 電気Ⅱ
2018 , 前期 , 電気実習
2018 , 前期 , 電気技術特論
2018 , 後期 , ものづくりリテラシー
2018 , 後期 , 電気Ⅰ
2018 , 後期 , 電子工学Ⅱ
2018 , 後期 , 電気Ⅲ
2018 , 後期 , 電気技術演習