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プロフィール
研究活動
教育活動
管理運営
社会活動
高校生のための研究紹介
所属
創造科学系
職名
名誉教授
学歴
-1979, 名古屋大学, 修士 工学研究科, 電気工学
-1977, 名古屋工業大学, 工学部, 電気工学科
取得学位
工学修士, 名古屋大学
研究職歴
2017, 愛知教育大学 特別教授
2014, 愛知教育大学 副学長
2002-2017, 愛知教育大学 教授
1986-2001, 愛知教育大学 助教授
1982-1986, 愛知教育大学 助手
1979-1982, 豊橋技術科学大学 教務員
留学歴
1993-1994, 米国シンシナティ大学ナノテクノロジー研究
所属学会
電気学会
応用物理学会, 2003-2005東海支部幹事
日本産業技術教育学会, 2012-2014常任編集委員 2009編集委員
日本産業技術教育学会, 2007-2009東海支部長、常任編集委員
研究分野
科学教育, 応用物性・結晶工学, 電子・電気材料工学
キーワード: 電子・電気材料工学, 応用物性・結晶工学, 技術教育, 工業教育
学術論文
清水秀己，矢田真士:
高周波スパッタリングによるSi(111)基板上ZnO薄膜作製における3C-SiCバッファ層の効果,
愛知教育大学研究報告（芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編）, 愛知教育大学, No. 62, pp. 59-65, 2013Hideki Shimizu and Takashi Watanabe:
Effects of propane on low temperature growth of 3C-SiC films on Si (111) by plasma assisted CVD,
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2012清水秀己，森下拓哉:
高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製における投入電力の効果,
愛知教育大学研究報告（芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編）, 愛知教育大学, No. 61, pp. 49-57, 2012Manufacturing a Product Using Electromagnetic Force as Part of "Making things" Education,
Proceedings of ICTE 2011, ICTE, pp. 57-63, 2012清水秀己，萩原基文:
高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製におけるAlドーピング(Ⅱ）,
愛知教育大学研究報告（芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編）, 愛知教育大学, No. 60, 2011清水秀己，徳重雄紀:
高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製におけるAlドーピング,
愛知教育大学研究報告（芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編）, 愛知教育大学, No. 59, pp. 55-61, 2010Hideki Shimizu and Hidetoshi Miyakawa:
Implementation and Achievements of “Making Things Education” GP Project Supported by Ministry of Education, Culture, Sport, Science and Technology Japan,
Proceedings of ICTE 2009, ICTE, pp. 491-500, 2009Hideki Shimizu and Akira Kato:
Low Temperature Growth of 3C-SiC Film on Si (111) by Plasma Assisted CVD,
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2009Hideki Shimizu and Akira Kato:
Heterepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) at Low Substrate Temperature by Plasma Assisted CVD,
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2009清水秀己，岩田 航:
反応性ＲＦスパッタリングによるＺｎＯ薄膜作製における酸素濃度の効果,
愛知教育大学研究報告, No. 57, pp. 43-49, 2008Hideki Shimizu and Akira Kato:
Hetero-epitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) by Plasma Assisted CVD,
Materials Schience Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2007Hideki Shimizu and Yosuke Aoyama:
Hetero-epitaxial Growth on 3C-SiC on Silicon Substrates by Plasma Assisted CVD,
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2006愛知万博市民プロジェクト｢ものづくりと教育｣の実施と成果,
日本産業技術学会誌, 日本産業技術教育学会, No. 46(3), pp. 45-50, 2006Hideki Shimizu, Kensaku Hisada and Yosuke Aoyama:
Key Radicals for Hetero-epitaxial Growth of 3C-SiC on Silicon Substrates,
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2005RFスパッタリングによるZnO薄膜の作製,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 53, pp. 41-49, 2004Hetero-epitaxial of 3C-SiC on Carbonized Silicon Substrates,
Material Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2003RFプラズマCVDによるアモルファスカーボン薄膜の作製,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 52, pp. 41-49, 2003Evaluation of Carbonized Layers for 3C-SiC/Si Epitaxial Growth by Ellipsometry,
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2002Structural Changes due to Gass Pressure of Diamond Films Prepared by Intermitted Plasma Chemical Vapor Depsition,
New Diamond and Frontier Carbon Technology, No. 12(3), pp. 133-136, 2002偏光解析によるシリコン表面粗さの評価,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 51, pp. 45-52, 2002陽極酸化によるシリコン表面上への酸化膜の形成と評価,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 50, pp. 83-91, 2001Cabonization on(100)Silicon for Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC,
Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 2000シリコン熱酸化膜形成におけるオゾンの促進効果,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 49, pp. 57-65, 2000Effect of Substrate Bias on 3C-Sic Deposition on Si by AC Plasma-Assisted CVD.,
Materials Science Forum, Trans Tech Publications, switzerland, 1998ACプラズマアシストCVDによるシリコン窒化薄膜の作成,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 47, pp. 37-44, 19983C-SiC成長のためのACプラズマの大面積化,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 46, pp. 47-53, 1997HF洗浄後のSi基板表面の偏光解析,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 45, pp. 31-37, 1996Low temperature and large-area deposition of 3C-Sic on Siby AC plasma-assisted CUD.,
Inst. Phys. Conf. Ser., IOP Publishing Ltd, No. 142, pp. 161-164, 1996AC plasma-assisted CVD of 3C-SiC films at low substrate temperature.,
Inst. Phys. Conf. Ser., IOP Publishing Ltd, No. 137, pp. 87-89, 1994メタンーモノシラン混合ガス系におけるＡＣプラズマの発光分光分析,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 42, pp. 83-90, 1993AC Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrate.,
Springer Proceedings in Physics, Springers, No. 71, pp. 119-125, 1992ダイヤモンド生成時におけるDCプラズマの発光分光分析,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 41, pp. 107-116, 1992ダイヤモンド生成時におけるDCプラズマの赤外吸光分析,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 40, pp. 101-109, 1991Deposition of Diamond onto an Aluminum Substrate by DC Plasma CVD.,
Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, No. 29(8), pp. 1511-1514, 1990高周波スパッタリングにより作成したa-C:H膜の微細構造,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 39, pp. 107-116, 1990DIAMOND STRUCTURE IN FILMS DEPOSITED AT RELATIVELY LOW SUBSTRATE TEMPERATURE.,
J. Crystal Growth, North-Holland, No. 99, pp. 1215-1219, 1990MICROSTRUCTURES OF HYDROGENATED AMORPHOUS CARBON FILMS PREPARED BY PLASMA CVD.,
J. Non-Cryst. Solid., North-Holland, No. 114, pp. 196-198, 1989高周波スパッタリングにより作成したa-Si:H薄膜の微細構造と電気的・光学的特性,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 37, pp. 113-118, 1988高周波マグネトロンスパッタリングにより作成したa-Si:H薄膜の微細構造と電気的・光学的特性,
愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, No. 36, pp. 107-113, 1987Microstructures of Hydrogenated Silicon Films Prepared by Ion Plating.,
Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, No. 25(6), pp. 775-778, 1986ポリエチレンフィルムの高電界誘電特性,
電気学会論文誌, 電気学会, No. 105A(9), pp. 463-470, 1985RFスパッタにおける基板表面温度校正,
真空, 日本真空協会, No. 27(1), pp. 13-18, 1984FORMATION OF MICROCRYSTALLINE STRUCTURE IN a-Si : H FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING.,
J. Non-Cryst. Solid, North-Holland, 1983Microstructures and Hydrogen bonding Environments of a-Si : H Films Prepared by RF Spattering in Pure Hydrogen.,
Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, 1983OPTICAL PROPERTIES OF NATIVE OXIDE FILM ANODICALLY GROWN ON PbSnTe.,
Surface Science, North-Holland, No. 86, pp. 389-397, 1979ELLIPSOMETTRIC AND INFRARED SPECTROSCOPIC STUDIES OF OXIDE FILM ON GaAs SURFACE.,
Surface Science, North-Holland, No. 86, pp. 314-321, 1979授業等:
2018, 前期,初年次演習
2018, 前期,電子工学Ⅰ
2018, 前期,電気Ⅱ
2018, 前期,電気実習
2018, 前期,電気技術特論
2018, 後期,ものづくりリテラシー
2018, 後期,電気Ⅰ
2018, 後期,電子工学Ⅱ
2018, 後期,電気Ⅲ
2018, 後期,電気技術演習