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清水 秀己(シミズ ヒデキ)

  • 所属部署名:技術教育講座職名:特別教授 特命学長補佐(グローバル人材育成プロジェクト担当)
  • 住所:〒448-8542 愛知県刈谷市井ヶ谷町広沢1
  • 電話番号:FAX番号:
  • メールアドレス:hksimizuauecc.aichi-edu.ac.jp
  • ホームページURL:
更新日:2017/05/12

プロフィール

兼担研究科・学部

  • 創造科学系

研究分野

  • 科学教育
  • 応用物性・結晶工学
  • 電子・電気材料工学
  • キーワード:電子・電気材料工学 , 応用物性・結晶工学 , 技術教育 , 工業教育

現在の研究課題

  • 高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製に関する研究
    キーワード:スパッタリング , ZnO , 2002-2013
  • 技術教育におけるエネルギー変換教育に関する研究
    キーワード:技術教育 , エネルギー変換 , ものづくり , 2001-
  • プラズマアシストCVDによるSi基板上へのSiCへテロエピタキシャル成長に関する研究
    キーワード:炭化ケイ素 , プラズマアシスト , へテロエピタキシャル , 1991-
  • プラズマ利用によるカーボン薄膜の作製に関する研究
    キーワード:プラズマ , 薄膜 , カーボン , 1986-
  • プラズマ利用によるアモルファスシリコン作製に関する研究
    キーワード:プラズマ , アモルファスシリコン , 1982-1986

所属学会

所属学会
  • 電気学会
  • 応用物理学会
  • 日本産業技術教育学会
所属学会役職担当
  • 2012-2014 , 日本産業技術教育学会 , 常任編集委員
  • 2009- , 日本産業技術教育学会 , 編集委員
  • 2007-2009 , 日本産業技術教育学会 , 東海支部長,常任編集委員
  • 2003-2005 , 応用物理学会 , 東海支部幹事

学歴

出身大学院・研究科等
  • 1979 , 名古屋大学 , 修士 , 工学研究科 , 電気工学 , 修了
出身学校・専攻等(大学院を除く)
  • 1977 , 名古屋工業大学 , 工学部 , 電気工学科 , 卒業
取得学位
  • 工学修士 , 名古屋大学

研究職歴等

研究職歴
  • 2017- , 愛知教育大学 特別教授
  • 2002-2017 , 愛知教育大学 教授
  • 1986-2001 , 愛知教育大学 助教授
  • 1982-1986 , 愛知教育大学 助手
  • 1979-1982 , 豊橋技術科学大学 教務員
研究職歴以外の職歴
  • 2014- , 愛知教育大学 副学長(グローバル推進担当)
留学歴
  • 1993-1994 , 米国シンシナティ大学・ナノテクノロジー研究所

研究活動業績

研究業績(著書・発表論文等)

論文
  • 清水秀己,矢田真士
    高周波スパッタリングによるSi(111)基板上ZnO薄膜作製における3C-SiCバッファ層の効果
    愛知教育大学研究報告(芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編, 愛知教育大学, 62:59-65, 2013-03
  • Hideki Shimizu and Takashi Watanabe
    Effects of propane on low temperature growth of 3C-SiC films on Si (111) by plasma assisted CVD
    Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 717-720:181-184, 2012-06
  • 清水秀己,森下拓哉
    高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製における投入電力の効果
    愛知教育大学研究報告(芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編, 愛知教育大学, 61:49-57, 2012-03
  • H. Shimizu
    Manufacturing a Product Using Electromagnetic Force as Part of "Making things" Education
    Proceedings of ICTE 2011, ICTE, :57-63, 2012-03
  • 清水秀己,萩原基文
    高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製におけるAlドーピング(Ⅱ)
    愛知教育大学研究報告(芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編, 愛知教育大学, 60, 2011-03
  • 清水秀己,徳重雄紀
    高周波スパッタリングによるZnO薄膜作製におけるAlドーピング
    愛知教育大学研究報告(芸術・保健体育・家政・技術科学・創作編, 愛知教育大学, 59:55-61, 2010-03
  • Hideki Shimizu and Hidetoshi Miyakawa
    Implementation and Achievements of “Making Things Education” GP Project Supported by Ministry of Education, Culture, Sport, Science and Technology Japan
    Proceedings of ICTE 2009, ICTE, :491-500, 2009-10
  • Hideki Shimizu and Akira Kato
    Low Temperature Growth of 3C-SiC Film on Si (111) by Plasma Assisted CVD
    Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 615-617:161-164, 2009-06
  • Hideki Shimizu and Akira Kato
    Heterepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) at Low Substrate Temperature by Plasma Assisted CVD
    Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 600-603:235-238, 2009-01
  • 清水秀己,岩田 航
    反応性RFスパッタリングによるZnO薄膜作製における酸素濃度の効果
    愛知教育大学研究報告, 57:43-49, 2008-03
  • Hideki Shimizu and Akira Kato
    Hetero-epitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) by Plasma Assisted CVD
    Materials Schience Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 556-557:183-186, 2007-06
  • Hideki Shimizu and Yosuke Aoyama
    Hetero-epitaxial Growth on 3C-SiC on Silicon Substrates by Plasma Assisted CVD
    Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 527-529:299-302, 2006-09
  • 愛知万博市民プロジェクト「ものづくりと教育」の実施と成果
    日本産業技術学会誌, 日本産業技術教育学会, 46(3):45-50, 2006-04
  • Hideki Shimizu, Kensaku Hisada and Yosuke Aoyama
    Key Radicals for Hetero-epitaxial Growth of 3C-SiC on Silicon Substrates
    Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 483-485:209-212, 2005-08
  • RFスパッタリングによるZnO薄膜の作製
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 53:41-49, 2004-03
  • Hetero-epitaxial of 3C-SiC on Carbonized Silicon Substrates
    Material Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 433-436:229-232, 2003-06
  • RFプラズマCVDによるアモルファスカーボン薄膜の作製
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 52:41-49, 2003-03
  • Evaluation of Carbonized Layers for 3C-SiC/Si Epitaxial Growth by Ellipsometry
    Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 389-393:335-338, 2002-04
  • Structural Changes due to Gass Pressure of Diamond Films Prepared by Intermitted Plasma Chemical Vapor Depsition
    New Diamond and Frontier Carbon Technology, 12(3):133-136, 2002-03
  • 偏光解析によるシリコン表面粗さの評価
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 51:45-52, 2002-03
  • 陽極酸化によるシリコン表面上への酸化膜の形成と評価
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 50:83-91, 2001-03
  • Cabonization on(100)Silicon for Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC
    Materials Science Forum, Trans Tech Publication, Switzerland, 338-342:261-264, 2000-03
  • シリコン熱酸化膜形成におけるオゾンの促進効果
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 49:57-65, 2000-03
  • Effect of Substrate Bias on 3C-Sic Deposition on Si by AC Plasma-Assisted CVD.
    Materials Science Forum, Trans Tech Publications, switzerland, 264-268:211-214, 1998-03
  • ACプラズマアシストCVDによるシリコン窒化薄膜の作成
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 47:37-44, 1998-03
  • 3C-SiC成長のためのACプラズマの大面積化
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 46:47-53, 1997-03
  • HF洗浄後のSi基板表面の偏光解析
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 45:31-37, 1996-03
  • Low temperature and large-area deposition of 3C-Sic on Siby AC plasma-assisted CUD.
    Inst. Phys. Conf. Ser., IOP Publishing Ltd, 142:161-164, 1996-02
  • AC plasma-assisted CVD of 3C-SiC films at low substrate temperature.
    Inst. Phys. Conf. Ser., IOP Publishing Ltd, 137:87-89, 1994-07
  • メタンーモノシラン混合ガス系におけるACプラズマの発光分光分析
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 42:83-90, 1993-03
  • AC Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrate.
    Springer Proceedings in Physics, Springers, 71:119-125, 1992-05
  • ダイヤモンド生成時におけるDCプラズマの発光分光分析
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 41:107-116, 1992-03
  • ダイヤモンド生成時におけるDCプラズマの赤外吸光分析
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 40:101-109, 1991-03
  • Deposition of Diamond onto an Aluminum Substrate by DC Plasma CVD.
    Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, 29(8):1511-1514, 1990-08
  • 高周波スパッタリングにより作成したa-C:H膜の微細構造
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 39:107-116, 1990-03
  • DIAMOND STRUCTURE IN FILMS DEPOSITED AT RELATIVELY LOW SUBSTRATE TEMPERATURE.
    J. Crystal Growth, North-Holland, 99:1215-1219, 1990-02
  • MICROSTRUCTURES OF HYDROGENATED AMORPHOUS CARBON FILMS PREPARED BY PLASMA CVD.
    J. Non-Cryst. Solid., North-Holland, 114:196-198, 1989-08
  • 高周波スパッタリングにより作成したa-Si:H薄膜の微細構造と電気的・光学的特性
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 37:113-118, 1988-03
  • 高周波マグネトロンスパッタリングにより作成したa-Si:H薄膜の微細構造と電気的・光学的特性
    愛知教育大学研究報告, 愛知教育大学, 36:107-113, 1987-03
  • Microstructures of Hydrogenated Silicon Films Prepared by Ion Plating.
    Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, 25(6):775-778, 1986-06
  • ポリエチレンフィルムの高電界誘電特性
    電気学会論文誌, 電気学会, 105A(9):463-470, 1985-09
  • RFスパッタにおける基板表面温度校正
    真空, 日本真空協会, 27(1):13-18, 1984-01
  • FORMATION OF MICROCRYSTALLINE STRUCTURE IN a-Si : H FILMS PREPARED BY RF SPUTTERING.
    J. Non-Cryst. Solid. , North-Holland, 59-60:823-826, 1983-08
  • Microstructures and Hydrogen bonding Environments of a-Si : H Films Prepared by RF Spattering in Pure Hydrogen.
    Jpn. J. Appl. Phys., JSAP, 22(2):L73-L75, 1983-02
  • OPTICAL PROPERTIES OF NATIVE OXIDE FILM ANODICALLY GROWN ON PbSnTe.
    Surface Science, North-Holland, 86:389-397, 1979-08
  • ELLIPSOMETTRIC AND INFRARED SPECTROSCOPIC STUDIES OF OXIDE FILM ON GaAs SURFACE.
    Surface Science, North-Holland, 86:314-321, 1979-08

教育活動実績

授業等

  • 2017 , 前期 , 電子工学Ⅰ
  • 2017 , 前期 , 電気Ⅱ
  • 2017 , 前期 , 電気実習
  • 2017 , 前期 , 電気教育特論
  • 2017 , 後期 , 電気Ⅰ
  • 2017 , 後期 , ものづくりリテラシー
  • 2017 , 後期 , 電子工学Ⅱ
  • 2017 , 後期 , 電気Ⅲ
  • 2017 , 後期 , 電気教育演習

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